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Statische Ladung

ESD-Anfälligkeit div. Bautelie:

EPROM: 100 V
JFET: 140 - 7'000 V
VMOS: 30 - 1'800 V
CMOS: 250 -3'000 V
MOSFET: 100 - 200 V
OP-AMP: 190 -2'500 V
GaAsFET: 100 - 300 V
Sottky- Dioden: 300 - 2'500V